ویفر کی صفائی سے مربوط سرکٹس کی تیاری کے دوران ، مربوط سرکٹس کی تیاری کے دوران آلودگیوں اور آکسائڈز کو ویفر کی سطح سے دور کرنے کے لئے کیمیائی یا جسمانی طریقوں کے استعمال کے عمل سے مراد ہے ، تاکہ ویفر سطح کی صفائی کی ضروریات کو پورا کیا جاسکے۔ ویفر کی صفائی کا اصول ویفر کو نقصان پہنچائے بغیر مختلف نجاستوں کو دور کرنا ہے۔
ذرات کو ہٹانے کے لئے چار اہم میکانزم ہیں: تحلیل ، آکسیڈیٹیو سڑن ، ذرات اور سلیکن ویفر سطحوں کے مابین بجلی سے بچنے اور سلیکن ویفر سطحوں کی معمولی سنکنرن۔
دھات کے ذرات کو ہٹانے کے لئے ، ایس سی 2 حل یا HPM حل عام طور پر ویفر سطح پر دھات کے مواد کو کم کرنے کے لئے استعمال کیا جاتا ہے۔ ایس سی 2 حل کرسٹاللائزیشن سے گزرتا ہے ، جس سے صفائی کے بعد ویفر سطح پر ذرات کی تعداد میں اضافہ ہوسکتا ہے۔ لہذا ، HC کے بجائے HF استعمال کیا جاسکتا ہے ، یا HF کے ساتھ مل کر O3 دھات کے ذرات کو مؤثر طریقے سے دور کرنے کے لئے SC-2 حل کی بجائے استعمال کیا جاسکتا ہے۔
نامیاتی آلودگیوں کے لئے ، ایس پی ایم حل یا یووی/اوزون خشک صفائی کی ٹیکنالوجی عام طور پر ہٹانے کے لئے استعمال ہوتی ہے۔
گیلے صفائی کے بعد ، اگلے عمل میں داخل ہونے سے پہلے سطح پر پانی کے نشانات موجود نہیں ہونے کے لئے ویفر کو اچھی طرح سے خشک کرنا چاہئے۔ اس وقت دستیاب تین سب سے عام خشک کرنے والے طریقوں میں روٹری خشک کرنے والی ، مارنگونی خشک کرنے والی ، اور گرم آئسوپروپنول ایٹمائزیشن خشک ہیں۔
