عام 200 ملی میٹر سی ایم او ایس چپس کا ویفر مینوفیکچرنگ کا عمل۔
کیمیائی بخارات جمع ایک ایسی تکنیک ہے جو مائکرو الیکٹرانک آلات کی تیاری میں ایک پتلی فلم جمع کروانے کے لئے استعمال ہوتی ہے ، جو ایک ڈائی الیکٹرک مواد یا سیمیکمڈکٹر ہوسکتی ہے۔ جسمانی بخارات جمع کرنے والی ٹکنالوجی تیز رفتار گیسوں کا استعمال کرتی ہے تاکہ پھیلنے والے اہداف کو متاثر کیا جاسکے اور مطلوبہ مواد کو ویفر کی سطح پر جمع کیا جاسکے۔ عمل کے رد عمل کے چیمبر کے اندر اعلی درجہ حرارت اور ویکیوم ماحول ان دھات کے جوہریوں کو اناج کی تشکیل کا سبب بن سکتا ہے ، جس کے بعد مطلوبہ کوندکٹو سرکٹ حاصل کرنے کے لئے نمونہ اور کھڑا کیا جاسکتا ہے۔
آپٹیکل ڈویلپمنٹ فوٹو ماسک سے گرافکس کو ایک پتلی فلم میں تبدیل کرنے کا عمل ہے۔ آپٹیکل ڈویلپمنٹ میں عام طور پر فوٹوورسٹ کوٹنگ ، بیکنگ ، لائٹ سیدھ ، نمائش اور ترقی جیسے اقدامات شامل ہیں۔ ڈرائی اینچنگ سب سے عام طور پر استعمال ہونے والا اینچنگ طریقہ ہے ، جو رد عمل کو آگے بڑھانے کے لئے گیس کو اہم اینچنگ میڈیم اور پلازما کے طور پر استعمال کرتا ہے۔ اینچنگ کسی سطح سے ناپسندیدہ مواد کو ہٹانا ہے۔
کیمیائی مکینیکل پالش (سی ایم پی) ایک ایسی ٹیکنالوجی ہے جو مکینیکل پالش اور تیزاب دونوں کو یکجا کرتی ہے - بیس حل پر مبنی کیمیائی پالشنگ ، جو ویفر سطح کو نسبتا flat فلیٹ بنا سکتی ہے اور اس کے بعد کے عمل کو آسان بنا سکتی ہے۔ پیسنے کے دوران ، پیسنے والی گندگی ویفر اور پیسنے والے پیڈ کے درمیان ہوتی ہے۔ سی ایم پی کو متاثر کرنے والے عوامل میں پیسنے والے سر اور ویفر فلیٹنس ، گردش کی رفتار ، پیسنے والی گندگی کی کیمیائی ساخت ، اور اسی طرح کا دباؤ شامل ہے۔
